如果属于RAM区，那么是否可把V区的数据拷贝到EEPROM中？
答：西门子S7-200PLC系统中用到了三种存储器件：
RAM： 易失性的存储器，失去电源供应后，其中保存的数据会丢失。S7-200 CPU中的RAM由超级电容＋外插电池卡提供电源缓冲。RAM保存V、M、T（定时器）、C（计数器）等各数据区的内容，在CPU失电后的表现由用户在系统块“数据保持”页中设置
EEPROM：非易失的电可擦除存储器，保存数据不需要供电，并且可以改写其内容。上述RAM数据区中有的部分与EEPROM中的区域一一对应。用户程序也永久保存在程序EEPROM区中
外插存储卡：非易失的存储器。用来保存用户程序、数据记录（归档）、配方数据，以及一些其他文件等
RAM区的数据保持靠“内置超级电容＋外插电池卡”的机制。
在CPU内部靠一个超级电容，在掉电后为RAM存储器提供电源缓冲，保存时间可达几天之久，具体时间见表1、表2。CPU上电时，超级电容就可以充电。要获得规格表中的数据保持时间，电容必须连续充电24小时。
S7-200还可选用外插电池卡（需单独定货），在超级电容耗尽后为RAM数据区提供电源缓冲。在连续无供电时，它可使用200天（即保持数据达200天）。CPU在不断电的情况下专用电池卡能够使用10年。电池卡是不可充电的。
CPU内置的EEPROM存储器用于永久保存数据，包括与RAM数据区一一对应的全部的V存储区、部分M存储区（MB0 - MB13）、定时器（TONR）。
例如V存储区的VW100（RAM）在EEPROM中有其独占的对应地址，数据在从EERPOM中写到V存储区中时，其目标地址就是VW100。
数据可以用如下方式写入EEPROM数据区：
在编程软件Micro/WIN的Data Block（数据块）中定义V数据区存储单元的初始值，下载数据块时，这些数值也被写入到相应的EEPROM单元中。
用特殊存储器SMB31、SMW32，用编程方法将V存储区的数据写入EEPROM
在System Block（系统块）中设置数据保持功能，可将MB0 - MB13的内容在CPU断电时自动写入到EEPROM中。
答：西门子S7-200PLC系统中用到了三种存储器件：
RAM： 易失性的存储器，失去电源供应后，其中保存的数据会丢失。S7-200 CPU中的RAM由超级电容＋外插电池卡提供电源缓冲。RAM保存V、M、T（定时器）、C（计数器）等各数据区的内容，在CPU失电后的表现由用户在系统块“数据保持”页中设置
EEPROM：非易失的电可擦除存储器，保存数据不需要供电，并且可以改写其内容。上述RAM数据区中有的部分与EEPROM中的区域一一对应。用户程序也永久保存在程序EEPROM区中
外插存储卡：非易失的存储器。用来保存用户程序、数据记录（归档）、配方数据，以及一些其他文件等
RAM区的数据保持靠“内置超级电容＋外插电池卡”的机制。
在CPU内部靠一个超级电容，在掉电后为RAM存储器提供电源缓冲，保存时间可达几天之久，具体时间见表1、表2。CPU上电时，超级电容就可以充电。要获得规格表中的数据保持时间，电容必须连续充电24小时。
S7-200还可选用外插电池卡（需单独定货），在超级电容耗尽后为RAM数据区提供电源缓冲。在连续无供电时，它可使用200天（即保持数据达200天）。CPU在不断电的情况下专用电池卡能够使用10年。电池卡是不可充电的。
CPU内置的EEPROM存储器用于永久保存数据，包括与RAM数据区一一对应的全部的V存储区、部分M存储区（MB0 - MB13）、定时器（TONR）。
例如V存储区的VW100（RAM）在EEPROM中有其独占的对应地址，数据在从EERPOM中写到V存储区中时，其目标地址就是VW100。
数据可以用如下方式写入EEPROM数据区：
在编程软件Micro/WIN的Data Block（数据块）中定义V数据区存储单元的初始值，下载数据块时，这些数值也被写入到相应的EEPROM单元中。
用特殊存储器SMB31、SMW32，用编程方法将V存储区的数据写入EEPROM
在System Block（系统块）中设置数据保持功能，可将MB0 - MB13的内容在CPU断电时自动写入到EEPROM中。
