水电之家讯：LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料， 置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯 线的作用，所以LED的抗震性能好。LED最初是用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds 公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。
LED芯片的原理：
LED（LightEmittingDiode）是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架 上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成， 一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电 子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”.当电流通过导线作用 于这个晶片的时候，电子 就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的 形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的 材料决定的。
LED芯片的分类：
1.MB芯片定义与特点
定义：lBonding（金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。
特点： （1）采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。 ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125~150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K.
（2）通过金属层来接合（waferbonding）磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
（3）导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3~4倍），更适 应于高驱动电流领域。
（4）底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
（5）尺寸可加大，应用于Highpower领域，eg:42milMB.
2.GB芯片定义和特点
定义：GlueBonding（粘着结合）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。
特点： （1）透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS（Absorbable structure） 芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
（2）芯片四面发光，具有出色的Pattern图。
（3）亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平（8.6mil）。
（4）双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。
3.TS芯片定义和特点
定义：transparentstructure（透明衬底）芯片，该芯片属于HP的专利产品。
特点： （1）芯片工艺制作复杂，远高于ASLED.
（2）信赖性卓越。
（3）透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。
（4）应用广泛。
4.AS芯片定义与特点
定义：Absorbablestructure（吸收衬底）芯片；经过近四十年的发展努力，台湾LED光 电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售 处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平 基本处于同一水平，差距不大。 大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所 谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg:712SOL-VR,709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。
特点： （1）四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。
（2）信赖性优良。
（3）应用广泛。
发光二极管芯片材料磊晶种类：
1.LPE:LiquidPhaseEpitaxy（液相磊晶法）GaP/GaP 2.VPE:VaporPhaseEpitaxy（气相磊晶法）GaAsP/GaAs 3.MOVPE:lOrganicVaporPhaseEpitaxy（有机金属气相磊晶法）AlGaInP、GaN 4.SH:GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure（单异型结构）GaAlAs/GaAs 5.DH:GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure（双异型结构）GaAlAs/GaAs 6.DDH:GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure（双异型结构）GaAlAs/GaAlAs
LED芯片组成及发光 LED晶片的组成：主要有砷（AS）铝（AL）镓（Ga）铟（IN）磷（P）氮（N）锶（Si）这几种元素中的 若干种组成。
LED晶片的分类：
1、按发光亮度分： A、一般亮度：R、H、G、Y、E等 B、高亮度：VG、VY、SR等 C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等 D、不可见光（红外线）：R、SIR、VIR、HIR E、红外线接收管：PT F、光电管：PD
2、按组成元素分： A、二元晶片（磷、镓）：H、G等 B、三元晶片（磷、镓、砷）：SR、HR、UR等 C、四元晶片（磷、铝、镓、铟）：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG
3.LED晶片特性表： LED晶片型号发光颜色组成元素波长（nm） SBI蓝色lnGaN/sic430HY超亮黄色AlGalnP595 SBK较亮蓝色lnGaN/sic468SE高亮桔色GaAsP/GaP610 DBK较亮蓝色GaunN/Gan470HE超亮桔色AlGalnP620 SGL青绿色lnGaN/sic502UE最亮桔色AlGalnP620 DGL较亮青绿色LnGaN/GaN505URF最亮红色AlGalnP630 DGM较亮青绿色lnGaN523E桔色GaAsP/GaP635 PG纯绿GaP555R红色GAaAsP655 SG标准绿GaP560SR较亮红色GaA/AS660 G绿色GaP565HR超亮红色GaAlAs660 VG较亮绿色GaP565UR最亮红色GaAlAs660 UG最亮绿色AIGalnP574H高红GaP697 Y黄色GaAsP/GaP585HIR红外线GaAlAs850 VY较亮黄色GaAsP/GaP585SIR红外线GaAlAs880 UYS最亮黄色AlGalnP587VIR红外线GaAlAs940 UY最亮黄色AlGalnP595IR红外线GaAs940
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