水电之家讯：场效应管的电流控制机理与双极型晶体管不同，它是由电场来控制载流子导电通道的大小来控制电流大小的。对结型场效应管，这个电场是反向ＰＮ结的内电场；对ＭＯＳ管，则是由外加栅压和衬底之间形成表面电场。以Ｎ沟道结型场效应管为例。在 时，只要加上正的漏-源电压VDS，Ｎ型半导体中的多数载流子--自电子就由源极通过Ｎ型半导体向漏极漂移，或者说有漏极电流ID从漏极流向源极。这个Ｎ型半导体形成了自由电子或电流的通道，叫做"沟道"。沟道的厚薄，或者说沟道的电阻受Ｐ型栅极和Ｎ型沟道间反向ＰＮ结的内电场，也就是栅源电压VGS大小的控制因为电流ID是由Ｎ型半导体中多数载流子的漂移形成，所以场效应管是多子导电（即使在ＭＯＳ管中也是这样）。
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