水电之家讯：一、稳定工作点的措施
1. 针对ICBO的影响，可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。
2. 针对VBE的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。
二、射极偏置电路稳定工作点的原理
射极偏置电路如图1所示，其直流通路如图2所示。
电路参数选择使电路满足I1>>IB条件，可得
VB » Rb2VCC/（Rb1+ Rb2）
当温度上升® IC（IE）增加® IERe增加® VBE减小（因VBE=VB–IERe，而VB一定）® IB自动减小® 结果牵制了IC的增加，IC 基本恒定
设计此种电路时，一般可选取：I1=（5~10）IB （硅管）
I1=（10~20）IB （锗管）
VB=（3~5）V （硅管）
VB=（1~3）V （锗管）
由上面的分析可知，BJT参数ICBO、VBE、b均随温度变化，对Q点的影响，最终都表现在使Q点电流IC变化。从这一现象出发，在温度变化时，如果能设法使IC近似维持恒定，问题就可得到解决。如可采取两方面的措施：
（1）针对ICBO的影响，可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。
（2）针对VBE的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。
射极偏置电路是可实现上面两点设想的电路。这个电路稳定工作点的物理过程是这样的：利用Rb1和Rb2组成的分压器以固定基极电位。如果I1>>IB（I1是流经Rb1、Rb2的电流），就可近似地认为基极电位VB» Rb2VCC/（Rb1+ Rb2）。在此条件下，当温度上升时，IC（IE）将增加，由于IE的增加，在Re上产生的压降IERe也要增加，IERe的增加部分回送到基极-发射极回路去控制VBE，使外加于管子的VBE减小（因VBE=VB–IERe，而VB又被Rb1和Rb2所固定），由于VBE的减小使IB自动减小，结果牵制了IC的增加，从而使IC基本恒定。
由上述分析可知，I1愈大于IB、VB愈大于VBE，则该电路稳定工作点的效果愈好。为兼顾其他指标，设计此种电路时，一般可选取
I1=（5~10）IB （硅管）
I1=（10~20）IB （锗管）
VB=（3~5）V （硅管）
VB=（1~3）V （锗管）
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